Notícia

A tecnologia permite o empilhamento de 12 microplaquetas de GOLE usando mais de 60.000 furos de TSV, ao manter a mesma espessura que pacotes atuais de 8 camadas.

A espessura do pacote (720㎛) permanece a mesma que produtos altos atuais da largura de banda Memory-2 de 8 camadas (HBM2).

Isto ajudará clientes a liberar a próxima geração, produtos de alta capacidade com capacidade de um desempenho mais alto sem ter que mudar seus projetos da configuração de sistema.

Além, a tecnologia de empacotamento 3D igualmente caracteriza uma estadia mais curto da transmissão de dados entre microplaquetas do que a tecnologia atualmente existente da ligação do fio, tendo por resultado uma velocidade significativamente mais rápida e um consumo de uma mais baixa potência.

“Porque a escamação da lei de Moore alcança seu limite, o papel da tecnologia 3D-TSV é esperado tornar-se ainda mais crítico,” diz Hong-Joo Baek de Samsung.

Aumentando o número de camadas empilhadas de oito a 12, Samsung poderá logo reunir o produto 24GB HBM, que fornece três vezes a capacidade de memória alta da largura de banda 8GB no mercado hoje.