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Com o crescimento rápido recente e a expansão difundida da inteligência artificial (AI), a aprendizagem de máquina, o informática de alto rendimento, os gráficos e as aplicações da rede, a procura para a memória estão crescendo mais rapidamente do que nunca. Contudo, a GOLE tradicional da memória central é já não suficiente para cumprir tais exigências do sistema. Por outro lado, aplicações de servidor no centro de dados para fornecer exigências da capacidade mais alta para o armazenamento. Tradicionalmente, a capacidade do subsistema da memória foi expandida aumentando o número de canais do armazenamento pelo entalhe e usando os módulos duplos da memória da GOLE da alto-densidade in-line (DIMMs). Contudo, mesmo com a GOLE a mais avançada de 16Gb DDR4, as exigências da capacidade de memória do sistema podem transformar-se insuficientes com certeza aplicações (tais como bancos de dados da memória). Através do silicone (TSV) na memória tornou-se uma tecnologia básica eficaz para a expansão da capacidade e a expansão da largura de banda. Esta é uma tecnologia que furos de perfuradores com a espessura inteira da bolacha de silicone. O objetivo é formar milhares de vertical interconecta da parte dianteira à parte traseira da microplaqueta, e vice-versa. Nos primeiros dias, TSV foi considerado somente como uma tecnologia de empacotamento, mas em vez da ligação do fio. Contudo, ao longo dos anos, transformou-se uma ferramenta indispensável para expandir o desempenho e a densidade da GOLE. Hoje, a indústria da GOLE tem dois casos da utilização principal, e TSVs foi produzido com sucesso para superar limitações da expansão da capacidade e da largura de banda. São a GOLE 3D-TSV e memória alta da largura de banda (HBM).

Além do que os pacotes duplos tradicionais da microplaqueta (DDP) com ligação do fio morrem empilhar, as memórias do alto densidade tais como 128 e 256GB DIMMs (16Gb-based 2rank DIMMs com GOLE de 2High e de 4High X4) igualmente estão adotando a GOLE 3D-TSV. Na GOLE 3D-TSV, 2 ou 4 GOLES morrem são empilhadas sobre se, e somente a parte inferior morre é conectada externamente ao controlador da memória. Os dados restantes são interconectados pelos muitos TSVs que fornecem o entrada/saída (I/O) isolamento da carga internamente. Comparado com a estrutura de DDP, esta estrutura consegue uma velocidade mais alta do pino decuplando a carga do I/O, e reduz o consumo de potência eliminando a duplicação desnecessária do componente de circuito em microplaquetas empilhadas.

Por outro lado, HBM foi criado para compor a diferença da largura de banda entre as exigências altas da largura de banda do SoC e a capacidade máxima da fonte da largura de banda da memória central. Por exemplo, em aplicações do AI, as exigências da largura de banda de cada SoC (especialmente em aplicações de formação) podem exceder diversos TB/s, que não podem ser encontrados pela memória central convencional. Um único canal da memória central com 3200Mbps DDR4 DIMM pode somente fornecer 25.6GB/s da largura de banda. Mesmo a plataforma a mais avançada do processador central com 8 canais da memória pode somente fornecer uma velocidade de 204.8GB/s. por outro lado, 4 pilhas HBM2 em torno de um único SoC pode a largura de banda do provide> 1TB/s, que pode compensar por sua diferença da largura de banda. De acordo com aplicações diferentes, HBM pode ser usado como um esconderijo apenas ou como a primeira camada de duas camadas de memória. HBM é um tipo da memória do em-pacote, que é integrada com SoC através de um pino intermediário do silicone no mesmo pacote. Isto permite que supere o número máximo de limitações do pino do pacote do I/O dos dados, que é uma limitação de pacotes tradicionais da fora-microplaqueta. O HBM2 que aquele foi distribuído em produtos reais consiste em 4 ou 8 alto-pilhas 8Gb morrem e 1024 pinos dos dados, e cada pino corre a uma velocidade de 1.6~2.4Gbps. A densidade de cada pilha de HBM é 4 ou 8GB, e a largura de banda é 204~307GB/s.

SK Hynix foi cometido a manter uma posição de condução da indústria em HBM e em produtos da GOLE do alto densidade 3D-TSV. Recentemente, o hynix de SK anunciou o desenvolvimento bem sucedido do dispositivo de HBM2E, que é uma versão prolongada de HBM2 com uma densidade até de 16GB e uma largura de banda de 460GB/s pela pilha. Isto é tornado possível aumentando a GOLE morre densidade a 16Gb e a conseguir uma velocidade de 3.6Gbps pelo IOs dos dados do pino 1024 sob uma tensão de fonte de alimentação 1.2V. SK Hynix igualmente está expandindo sua formação de 128~256GB 3D-TSV DIMMs para encontrar as necessidades de seus clientes para uma densidade mais alta DIMMs. A tecnologia de TSV agora tem alcançado um determinado nível de maturidade e pode construir os produtos os mais atrasados com milhares de TSVs, tais como HBM2E. Contudo, no futuro, quando manter os rendimentos altos do conjunto, reduzindo prolongamento do diâmetro passo//de TSV e para morrer espessura se tornará mais desafiante, e seja crítico para o desempenho do dispositivo e a escamação futuros continuados da capacidade. Tais melhorias reservarão reduzir a carga de TSV, para reduzir o parente para morrer parcela do tamanho do TSV, e expandem o número de pilhas acima de 12Highs, ao ainda manter a mesma altura de pilha física total. Através da inovação contínua de produtos e de tecnologias de TSV, o hynix de SK continuará a centrar-se sobre o posicionamento dno pelotão da frente do grupo da tecnologia de armazenamento leadership.HOREXS igualmente para continuar a melhorar a tecnologia para encontrar a procura de SK Hynix, para todo o contato AKEN da boa vinda da fabricação da carcaça da memória, akenzhang@hrxpcb.cn.